MDD辰达半导体推出大功率高防护TVS系列 专为小型BMS瞬态防护而生

在新能源与储能系统向“高压化、高安全、长寿命”快速演进的当下，电池管理系统的保护方案直接决定了电池包的安全性与整车运行稳定性。MDD 推出的 1.0SMBJxx 系列表面贴装 TVS二极管，凭借1000W峰值脉冲功率、纳秒级响应、超低漏电及高一致性等核心优势，已成为BMS充放电回路、电源接口及通信总线保护的理想选择。

一、高功率与小封装并重

小型BMS主板需同时容纳主控单元（BMU）、模拟前端（AFE）、CAN通信、均衡电路及功率MOS管等模块，留给瞬态抑制器件的布板空间极为有限。同时，BMS工作环境存在电池包高压浪涌、MOS管开关尖峰、热插拔冲击等严峻电气应力，对TVS的浪涌承受能力和可靠性提出了极高要求。

MDD  1.0SMBJxx 系列采用 DO-214AA/SMB 小型化封装，将多项优势集成于一体：

强大浪涌能力：具有1000W峰值脉冲功率

纳秒级响应：在漏极电压飙升的皮秒至纳秒内迅速导通

超低漏电流：典型值＜1μA@10V以上

宽温运行：-65℃~+150℃结温范围

双向/单向可选：CAN总线等信号接口推荐双向型号，电源及MOS管保护可选单双向型号

二、Clip工艺 应对极端MOS管关断情况

BMS充放电回路中的功率MOS管需要在极短时间内关断，电流突变产生的漏极尖峰电压幅值极高。开关速度越快，过压越严重，极易导致MOS管雪崩击穿或炸管。保护MOS管的TVS因此承受极高的瞬态电压，且通常需要多颗并联使用，对TVS的一致性要求极高。

MDD辰达 1.0SMBJxx 系列采用了先进的Clip组焊工艺，当DS极间电压超过TVS击穿电压（例如 1.0SMBJ5.0CA 的6.40~7.00V）时，TVS迅速由高阻态转为低阻态，将尖峰电压钳位在9.2V（最大值）以内，同时泄放高达108.7A的峰值脉冲电流，确保MOS管VDS始终处于安全区，避免过热或击穿。

此外，1.0SMBJxx 系列还集成了完备的可靠性保障：

玻璃钝化结：低漏电、高耐温，提升高温高湿环境下的长期稳定性

低电感设计：减小响应路径寄生参数，进一步提升钳位速度

UL 94V-0阻燃封装：满足车载及储能系统安规要求

三、电路原理图

BMS充放电回路中的MOS管在开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏 MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，会在电源两端和MOS的DS两端增加大功率TVS二极管。根据BMS中电池电压的不同，选择合适的TVS产品非常关键，客户可根据列表参考进行选择。

四、选型推荐

针对小型BMS保护，针对不同电压平台、不同保护场景的多样化需求，MDD 1.0SMBJ系列提供了覆盖5.0V至90V的完整电压规格，一颗型号可覆盖同一BMS中多路不同电压节点的保护需求，将选型与物料管控成本降至最低。