MDD辰达半导体推出SGT MOS，专注5G基站电源应用

一、5G基站电源概述

    5G基站是实现有线通信网络与无线终端之间信号传输的核心设备，主要包括宏基站和小基站。由于5G通信设备功耗较大，通常采用由电源插座、交直流配电、防雷器、整流模块和监控模块组成的电气柜进行供电。因此，5G电源即指专为5G通信设备设计的电源系统。

二、5G基站电源系统的主流架构与发展趋势

    目前，5G基站供电系统主要分为两大类：

    UPS供电系统、HVDC供电系统

    未来5G基站电源的发展趋势主要体现在以下几个方面：

    解决方案小型化、高频化设计、高可靠性、高效率提升。

三、MDD SGT MOSFET在5G电源中的典型应用拓扑

    为满足5G电源系统对高效率、低损耗、小型化的需求，MDD半导体推出多款SGT MOSFET产品，适用于不同拓扑结构：

    1. PFC与Flyback线路推荐：MDD SGT MOSFET系列

    该系列产品采用深沟槽+屏蔽栅工艺，具备以下特点：

    1.1 MDDG10R04P（TO-220C-3L封装）

    导通电阻极低：典型值仅为3.2mΩ（@VGS=10V），可大幅降低导通损耗，提升系统效率。

    高电流能力：连续漏极电流高达130A，适合高功率密度应用如服务器电源、通信电源等。

    优异的开关性能：栅电荷（Qg）仅为52nC，开关速度快，驱动损耗低。

    软恢复体二极管：反向恢复电荷（Qrr）仅100nC，有效抑制EMI，提升系统可靠性。

    1.2 MDDG10R20D（TO-252封装）

    小型化封装：TO-252表面贴装，适合空间受限的PCB设计。

    低栅极驱动要求：栅电荷Qg仅15nC，适合低功耗驱动电路。

    高开关频率能力：输入电容Ciss为940pF，适合高频DC/DC转换器。

    体二极管恢复快：trr仅35ns，Qrr为50nC，适用于同步整流和续流应用。

 2. 同步整流线路推荐：MDD低压SGT MOS系列

    为适应系统高效率和小型化趋势，同步整流线路推荐使用辰达半导体SGT MOS系列，具备以下优势：

    SGT沟槽屏蔽栅设计、更高工艺稳定性和可靠性、更快的开关速度、更小的栅电荷、更高应用效率。

三、推荐产品选型

    针对5G线路图的中电源部分，为适应电源系统高效率小型化的需求，同步整流线路推荐使用MDD低压SGT MOS系列；