一、静态测量
1. 正向压降测量
正向压降是肖特基二极管的重要特性之一。使用数字万用表测量二极管在正向偏置下的压降，可以判断其是否符合规格。测量方法如下：
将万用表设置为二极管测量模式。
将红表笔接二极管的阳极，黑表笔接阴极。
读取显示的电压值。肖特基二极管的正向压降通常在0.2V到0.4V之间，高于或低于此范围可能表明二极管损坏或规格不符。
2. 反向漏电流测量
反向漏电流是衡量肖特基二极管反向特性的重要参数。通过以下步骤测量反向漏电流：
将万用表设置为电流测量模式。
将万用表的红表笔接二极管的阴极，黑表笔接阳极。
在反向偏置下施加一定电压，通常为二极管的最大反向工作电压。
读取万用表上的漏电流值。正常情况下，肖特基二极管的反向漏电流应很小，若漏电流过大，可能表明二极管已损坏。
二、动态测量
1. 开关特性测试
肖特基二极管因其快速开关特性而著称，测试其开关特性可以通过示波器和函数发生器实现：
使用函数发生器产生一个方波信号，频率设置为1MHz左右。
将方波信号输入到肖特基二极管的阳极，并通过负载电阻接地。
使用示波器探头测量二极管两端的电压波形。
观察波形的上升和下降时间。肖特基二极管的上升和下降时间应非常短，通常在纳秒级别。若时间过长，可能表明二极管存在问题。
2. 开关损耗测量
开关损耗是衡量肖特基二极管性能的重要参数之一，通常通过功率分析仪和示波器测量：
连接功率分析仪和示波器，测量二极管在不同频率和电压条件下的开关损耗。
分析测量结果，开关损耗应较小，若损耗较大，可能影响电路的整体效率。
三、高频特性测试
肖特基二极管广泛应用于高频电路中，因此其高频特性测试尤为重要。以下是几种常见的高频特性测试方法：
1. S参数测量
S参数（散射参数）是表征肖特基二极管高频特性的关键参数。使用矢量网络分析仪（VNA）可以测量S参数：
连接矢量网络分析仪，将待测肖特基二极管连接到测试端口。
设置频率范围，通常在1GHz以上。
测量并记录S11和S21参数。S11表示输入反射系数，S21表示传输系数。
分析S参数，判断肖特基二极管在高频下的性能。
2. 阻抗频率特性测量
阻抗频率特性测量用于评估肖特基二极管在高频下的阻抗变化情况：
使用阻抗分析仪，连接待测肖特基二极管。
扫描频率范围，记录阻抗随频率的变化。
分析结果，确保二极管在高频下的阻抗特性符合设计要求。
肖特基二极管的检查方法多种多样，涵盖静态测量、动态测量和高频特性测试。通过全面的检查，可以确保肖特基二极管在实际应用中的可靠性和性能表现。
