MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基、快恢复、超快恢复以及SiC二极管）是现代电源系统中不可或缺的器件，广泛应用于服务器电源、适配器、光伏逆变器、车载OBC等场合。整流管性能直接影响系统效率、温升和稳定性。因此，调试与...

在现代电源系统中，MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管）因其低正向压降、快速反向恢复特性，广泛应用于适配器、开关电源、充电器、服务器电源和光伏逆变等高频高效率场景。但在实际应...

在电源系统、变频器及高频功率变换设备中，MDD辰达半导体的超快恢复二极管凭借其反向恢复时间短、开关损耗低的特点，广泛应用于高频整流和续流电路。但在某些大功率应用中，为了满足更高的电压或电流需求，工程师往往采用器...

在高频、高效电源设计领域，辰达半导体超快恢复二极管凭借其极短的反向恢复时间（Trr）和低反向电流损耗，成为开关电源、逆变器、功率因数校正（PFC）等场合中的重要器件。然而，工程实践中常见因选型不当而造成的系统效率下降甚...

MDD辰达半导体快恢复二极管在高频整流、PFC、逆变续流路径中承担快速电荷抽空任务，其功耗除正向导通损耗外，还包含反向恢复能量；热设计稍有不足，即可能触发渐进式热退化甚至灾难性击穿。本文从失效症状入手，解析热源构成...

在高频电路中，二极管不仅需要具备快速导通和关断特性，还必须在高频开关过程中尽量减少能量损耗和电磁干扰。普通整流二极管由于反向恢复时间较长，难以满足高频应用需求，而快恢复二极管凭借其短反向恢复时间和较低的...

一、整流二极管的核心参数解析：选型失败的三大雷区 1. 电流与散热失衡 最大整流电流（IF）：标称值需满足 IF ≥ 1.5 × I_load（负载电流），且需叠加散热系数： 自然散热（无风冷）：实际承载电...

一、热管理失效：散热设计不足引发连锁故障 问题表现： 局部过热：整流二极管（如1N5408）未配置散热孔或铜箔面积不足，导致结温＞85℃（安全阈值），实测温升可达30℃以上 。 热应力开裂：FR...

在功率电子系统中，辰达的MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统设计的效率与稳定性...