一、雪崩现象的原理
雪崩击穿是半导体器件在反向偏置超过击穿电压时，载流子在强电场作用下加速并碰撞产生新的电子-空穴对，形成连锁反应，反向电流急剧上升。
在SBD中：由于其 PN 结被金属-半导体结取代，理论上击穿电压由漂移区厚度决定。
实际应用中：当电路中存在感性负载（如电机线圈、变压器）且开关器件快速关断时，SBD 承受的反向电压会瞬间超过额定值，进入雪崩状态。
二、雪崩耐量的重要性
保护系统可靠性
在 DC/DC 转换器、同步整流、汽车电子和光伏逆变等场景中，寄生电感和突变电流不可避免，偶发的雪崩事件可能导致器件局部过热、势垒层损伤甚至封装热失效。
抑制随机失效
如果器件雪崩耐量不足，即使平均功耗符合设计要求，也可能因偶发高能量冲击导致提前失效，尤其在车规与工业系统中风险更高。
提升耐瞬态能力
高雪崩耐量意味着器件能承受更高的浪涌电流与电压尖峰，对系统 ESD、雷击浪涌、Load Dump 等抗扰性有帮助。
三、肖特基二极管雪崩耐量的测试与参数
常见的测试方式参考 IEC 60747 与 JEDEC 标准：
单脉冲雪崩能量 (EAS)：在一定电感、初始电流条件下，将器件击穿到反向雪崩，计算吸收的能量。
重复雪崩耐量 (EAR)：在多次雪崩冲击下的累计能量耐受能力。
浪涌电流 (IFSM)：间接反映器件承受高冲击电流的能力，但不等同于雪崩耐量。
对于 Si SBD，一般低压器件（45V100V）的雪崩耐量有限，高压器件（150V300V）会有更厚的漂移区，耐量稍好；而 SiC SBD 因禁带宽度大、击穿场强高，其雪崩耐量普遍优于硅器件，可在 650V~1200V 场景中稳定工作。
四、FAE的设计与选型建议
留足电压裕量
额定反向电压（VRRM）与实际工作峰值电压至少保持 20% 以上裕量，避免频繁进入雪崩区。
查看雪崩参数
优先选用 datasheet 中明确标注 EAS / IAR 的器件。如果没有标注，可向厂商申请雪崩测试数据，避免“盲用”。
优化电路布局
减少寄生电感（PCB走线短直、回路面积小），在关键位置并联 TVS 管或 RC Snubber 吸收尖峰。
SiC 优先于 Si
在高压（>600V）、高温（>150℃）、感性负载多的场景（如车载 OBC、光伏 Boost）中，SiC SBD 几乎是雪崩耐量与效率的双保险。
五、案例分享
在一个 3kW 工业电源 项目中，客户使用 200V Si SBD 做同步整流，负载端接感性负载，关断时反向电压尖峰高达 260V。由于器件雪崩耐量不足，三个月内出现批量失效。FAE 介入后：
改用 250V SiC SBD（EAS 提升至 30mJ）。
PCB 走线优化，降低寄生电感约 40%。
并联 RC 吸收网络。
改进后系统运行 6 个月无再现失效，效率从 94.8% 提升至 95.4%。
雪崩耐量虽然不是每个工程师在选型时都会优先关注的参数，但它直接决定了系统在极端情况下的生存能力。对于 FAE 来说，在高功率、高压、高感性负载的应用场景中，应主动评估并验证 SBD 的雪崩性能，结合电路优化与器件升级，确保系统长期稳定运行。尤其是在新能源、汽车电子等领域，高雪崩耐量已成为优质二极管的重要标签。
