随着电子设备工作频率日益提高，射频、通信、电源和高速数字系统在运行过程中极易产生电磁干扰（EMI）和高频噪声，尤其在开关电源、射频前端、以及高速I/O接口中，任何微小的干扰都可能导致系统误动作甚至通信失败。传统稳压二极管（Zener Diode）虽然以直流稳压和钳位保护为主，但在高频电路中，若设计得当，同样可以作为一种抑制EMI与高频噪声的辅助手段。本文MDD将结合FAE的应用经验，解析如何在高频场景下合理使用MDD稳压二极管，并给出实战建议。
传统稳压二极管的响应时间约为数十至数百纳秒，主要取决于其PN结结构和封装电感。但在高频电路中，信号频率往往达到几十MHz甚至GHz，器件的寄生电容、电感、电阻都会显著影响其行为。关键参数包括：
结电容（Cj）：二极管PN结本身存在电容，通常在10pF~500pF之间。高结电容会导致其在高频下表现为低阻抗路径，可能引入干扰耦合。
封装引线电感（Lp）：引脚长度越长，寄生电感越大，降低高频响应能力。
响应时间（Trr）：越快的反向恢复时间越适用于快速尖峰吸收，推荐选用低Trr器件（如<100ns）。
因此，在高频应用中应选用小封装（如SOD-323、SOT-23）、低电容、快恢复特性的稳压二极管，甚至使用专为高速电路设计的TVS或ESD器件。
二、典型高频场景应用实践
1.高频电源轨的噪声钳制
在开关电源或DC-DC输出端，存在高频开关尖峰。虽然LC滤波器可以处理大部分纹波，但在输出电压上仍可能出现短时高频毛刺，易干扰模拟或通信电路。此时，在电源与地之间并联一颗略高于输出电压的Zener二极管，可在电压异常升高时快速钳位，防止干扰传递。
设计建议：
选择高频响应快的Zener，如1N4690或BZT52系列；
串联一个小阻值（1~10Ω）电阻以削弱尖峰电流并提高响应速度；
避免Zener工作在临界稳压点附近长时间导通，以减少功耗与噪声耦合。
2.射频前端或天线口的高频钳位
在射频设备中，天线接口容易引入雷击感应、电磁干扰或静电放电（ESD）。常见方法是在射频走线上串联一个小阻抗电感，并在天线引脚对地并联一颗高频特性良好的稳压二极管或TVS器件。
注意事项：
必须选用低结电容Zener，否则会影响射频匹配；
尽量靠近天线口放置器件，减小寄生路径；
如果频率非常高，建议选用RF专用的低容TVS产品（如Semtech RClamp系列、Littelfuse SP300x系列）。
3.高速数字信号线的尖峰吸收
在USB、HDMI、CAN、RS485等高速总线中，信号的上升沿/下降沿陡峭，易产生过冲和反弹。在信号对地之间加入钳位二极管可抑制尖峰，保护接收端。
选型建议：
钳位电压应略高于信号峰值；
选用封装小、响应快的Zener，避免影响信号完整性；
注意布局对称，防止时序偏移。
三、EMI优化中的注意事项
在EMI优化实践中，Zener二极管不应被误用为滤波器件。其作用主要是钳位而非滤波，不适合替代LC或RC网络。错误用法如：
将Zener直接用于模拟信号滤波端；
用于长线缆末端去噪，无旁路或匹配；
此外，Zener的高频等效阻抗并非恒定值，会随着频率波动而产生“谐振峰”，在EMI测试中反而引发新的干扰。因此建议：
搭配小电容（如100pF）并联以形成RC网络；
仿真其频域特性或参考器件S参数模型；
尽可能靠近噪声源或敏感节点布置，减少寄生电感。
MDD稳压二极管在高频电路中的应用远不止传统的稳压，它在钳位、尖峰吸收、EMI抑制中扮演着重要角色。关键在于理解其频域行为与非理想参数，选用低容、快响、小封装器件，并结合合理的布局与补偿措施。在FAE支持客户高频产品设计时，我们应充分评估Zener在信号完整性与抗扰性之间的平衡，为客户提供稳压与抑噪的双重保障。
