2. 基本工作原理与结构差异
2.1 整流二极管
整流二极管通常由硅（Si）材料制成，基于PN结工作。当正向偏置时，电子和空穴在结区复合，形成导通路径；反向偏置时，结区内形成阻挡层，抑制电流流动。常见的整流二极管包括普通整流二极管和快恢复整流二极管。
2.2 肖特基二极管
肖特基二极管采用金属-半导体结（Schottky Barrier）结构，通常由硅或碳化硅（SiC）等材料制造。其主要特征是载流子仅为多数载流子（电子），因此具有极快的开关速度和低正向压降。相比传统整流二极管，肖特基二极管的反向恢复时间（trr）极短，通常在纳秒级别。
3. 主要性能对比
4. 可替代性分析
由于整流二极管与肖特基二极管在多个方面存在显著差异，在某些应用中可进行替代，但在其他场合则需谨慎考虑。
4.1 可替代场景
低压、高速应用：在要求低导通损耗和高频工作的电源电路（如DC-DC转换器）中，肖特基二极管可以替代普通整流二极管，以提高效率和降低热损耗。
高效整流需求：在对能效要求较高的场合（如便携式设备、太阳能充电控制电路），肖特基二极管的低正向压降特性可以降低功耗，提高系统效率。
4.2 不可替代场景
高电压整流：肖特基二极管的耐压通常较低（典型值为30V~200V），无法替代用于高压整流（如市电整流）的硅整流二极管。
低漏电流要求：在某些需要低反向漏电流的应用（如长寿命低功耗电路）中，整流二极管比肖特基二极管更具优势，因为肖特基二极管的反向漏电流通常较大。
高温环境：肖特基二极管在高温下的反向漏电流增加显著，因此在高温工作环境下，使用整流二极管可能更稳定。
整流二极管与肖特基二极管各具特点，其选择应基于具体应用的电压、功耗、速度及环境要求。在低压高频领域，肖特基二极管能有效提升电路性能，而在高压或低漏电流应用中，整流二极管仍是更佳选择。因此，在设计电路时，需要综合考虑两者的优势与局限，以实现最优方案
