1. 最大反向工作电压（Maximum Reverse Voltage, VRRM）
最大反向工作电压是指整流桥在反向偏置状态下能承受的最大电压值。超过这一电压，二极管将会发生反向击穿，导致器件失效。该参数通常用伏特（V）表示。
在实际应用中，选择合适的反向工作电压至关重要。例如，针对220V交流输入电压的整流电路，整流桥必须能够承受超过311V（220V × √2）的反向电压，因此需要选取VRRM大于400V的整流桥。对于高压应用，整流桥的VRRM则可能需要更高，常见的整流桥VRRM值通常在100V到1200V之间。
2. 正向电流（Forward Current, IF）
正向电流是指整流桥二极管在正向导通时允许通过的最大电流，通常以安培（A）为单位表示。该参数反映了整流桥在电路中能够持续承受的电流能力。
在整流电路中，正向电流必须能够满足负载需求。比如，在一个输出为5A的电源设计中，整流桥的正向电流需要高于5A，以确保其在满负载时不会过载或损坏。因此，在设计时应考虑电流裕量，以应对可能出现的瞬时电流波动。
3. 浪涌电流（Surge Current, IFSM）
浪涌电流是整流桥在短时间内能够承受的最大瞬时电流，通常以毫秒级事件为单位测量。浪涌电流通常发生在系统启动或突发负载变化时，因此这个参数对于整流桥的选型至关重要。
如果浪涌电流能力不足，整流桥在面对突发电流时可能会损坏或失效。在应用中，如电源系统启动时，电容充电会引发较大的浪涌电流，因此需要确保整流桥的浪涌电流能力能够承受这些瞬时的冲击。通常，浪涌电流的额定值会远高于正向电流，常见的IFSM值可以达到几十安培甚至更高。
4. 正向压降（Forward Voltage Drop, VF）
正向压降是整流桥二极管在正向导通时，其两端的电压降，通常以伏特（V）为单位表示。较低的正向压降意味着较小的功耗，从而有助于提高电路效率。
整流桥的正向压降与二极管的材料和结构相关。对于硅材料的二极管，典型的正向压降在0.7V左右，而肖特基二极管则通常低于0.4V。较低的正向压降可以减少发热和能量损失，特别是在高电流应用中，选择低正向压降的整流桥可以显著提高系统效率。
5. 反向恢复时间（Reverse Recovery Time, trr）
反向恢复时间是指整流桥二极管从正向导通切换到反向截止所需的时间，通常以纳秒（ns）为单位表示。反向恢复时间直接影响开关速度和电路的工作频率。
在高频开关电源或逆变器应用中，较短的反向恢复时间有助于减少开关损耗，提升整体效率。传统的硅二极管的反向恢复时间相对较长，快恢复二极管则可以将这一时间缩短到几十纳秒，从而在高频应用中表现更佳。
6. 漏电流（Reverse Leakage Current, IR）
漏电流是指整流桥二极管在反向偏置状态下通过的微小电流，通常以微安（µA）为单位表示。漏电流过大会导致能量损耗，并可能影响电路的稳定性。
在高效设计中，特别是低功耗设备中，漏电流是一个重要的考虑因素。较低的漏电流可以减少功耗，并提高系统的整体效率。在高压应用中，随着反向电压的增加，漏电流也会相应增大，因此需要特别注意这一点。
7. 结温（Junction Temperature, TJ）
结温是指整流桥二极管的结点温度，通常以摄氏度（°C）表示。结温过高可能导致二极管性能下降或损坏，因此必须控制在器件的规定范围内。典型的整流桥最大结温在150°C至175°C之间。
结温与整流桥的功率耗散密切相关。为了降低结温，可以采用散热器、风扇或其他散热措施，以确保整流桥在高电流或高频工作条件下保持稳定。
8. 功率耗散（Power Dissipation, PD）
功率耗散是指整流桥在工作过程中由于导通损耗和开关损耗产生的热量。整流桥的功率耗散越大，意味着更多的电能被转化为热量，因此需要良好的散热设计来保证其稳定运行。
在高功率应用中，整流桥的功率耗散是设计中的重要考虑因素。较高的功率耗散会增加系统的散热负担，因此应尽量选择低损耗的整流桥，并配合散热装置来维持其工作稳定性。
MDD整流桥的主要参数如最大反向工作电压、正向电流、浪涌电流、正向压降、反向恢复时间、漏电流、结温和功率耗散等，直接影响其在电路中的性能和效率。正确理解这些参数对于选择合适的整流桥至关重要。通过根据实际应用的需求，综合考虑这些参数，设计人员可以确保整流桥在电路中实现高效、可靠的电能转换，并提高设备的整体性能与稳定性。
