MDD肖特基二极管和特定应用有什么区别呢？MDD肖特基二极管在特定应用里有什么影响呢？
根据热电子发射模型，纯肖特基势垒呈现正向压降，随着势垒高度的减小呈线性下降；而反向电流随着势垒高度的降低呈指数增长。因此，存在一个  势垒高度，它可以  化特定应用的正向和反向功耗总和。然而，与肖特基二极管用户的讨论表明，他们并不寻求正向和反向功耗的  值，而总是寻求正向压降的  值。很少要求反向电流值。必须了解肖特基二极管是如何应用的，才能客观地选择  合适的器件。
由于真正的肖特基二极管在换向后阻止反向电压的延迟能力——随着势垒高度的增加而增长——，谐振电路对过大的反向电流（即大于换向关断斜率乘以 LC 的平方根）、过大的反向电压（即超过驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动、过大的 dv/dt（即大于驱动反向电压除以 LC 的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。
由于实际肖特基二极管在换向后阻止反向电压的延迟能力——随着势垒高度的增加而增长——，谐振电路对过大的反向电流作出反应（即大于换向关断斜率乘以 LC 的平方根）、过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动、过大的 dv/dt（即大于驱动反向电压除以 LC 的平方根）。
随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。由于实际肖特基二极管在换向后阻止反向电压的延迟能力——随着势垒高度的增加而增长——，谐振电路对过大的反向电流作出反应（即大于换向关断斜率乘以 LC 的平方根）、过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动、过大的 dv/dt（即大于驱动反向电压除以 LC 的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。
过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动，过大的 dv/dt（即大于驱动反向电压除以 LC 的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。过大的反向电压（即大于驱动反向电压的两倍）和陡峭的启动，过大的 dv/dt（即大于驱动反向电压除以 LC 的平方根）。随着势垒高度的增加，动态参数和开关损耗的过剩变得更加明显。
事实上，势垒高度为 0.74 eV 的二极管的反向电流比势垒高度为 0.86 eV 的二极管的反向电流高约 25 倍。超过一定限度，呈指数增长的反向电流（典型的低势垒高度）变得不可接受。但是，这取决于相应的应用程序。